Основные эффекты в полупроводниках и их применение.

Электронно-дырочный p - n - переход. Выпрямительными свойствами обладает лишь p - n - переход и контакт полупроводника с другими материалами. p - n - переход представляет собой границу, отделяющую друг от друга области с дырочной и электронной проводимостью в примесном полупроводнике. Переход должен быть непрерывным. На рис. 8 показан нерезкий p - n - переход для разомкнутой цепи.

рис. 8

В цепи с переменным электрическим полем p - n - переход работает как выпрямитель. На рис. 9 показана вольт-амперная характеристика p - n - перехода, которая описывается выражением

I = Is(eqU/kT-1) (13)

где Is - ток насыщения (при обратном включении p - n - перехода этот ток равен обратному току); U - приложенное напряжение; q/(kT) = 40 B-1 при комнатной температуре.

рис. 9

Эффект Холлазаключается в возникновении ЭДС Холла на гранях полупроводникового бруска с током, помещенного в магнитное поле. Величина ЭДС Холла определяется векторным произведением тока Iи магнитной индукции В. На рис. 10 изображен случай дырочного полупроводника.

рис. 10

Знак ЭДС Холла легко определить по правилу левой руки. Отогнув в сторону большой палец, найдем направление смещения основных носителей для данного типа полупроводника. Рассчитывается ЭДС Холла так

Ux = Rx J B/b (14)

где Rx - постоянная Холла (Rx = -A/(nq) для n - полупроводника, Rx = -B/(pq) - для р - полупроводника, nи p - концентрации электронов и дырок); А и В - коэффициенты, значения которых от 0,5 до 2,0 для различных образцов. В сильных полях или для вырожденных полупроводников A=B=1,0. Для монокристаллических образцов с совершенной структурой A=B · 3π/8.

Наиболее часто датчики Холла изготовляют на основе селенида и теллурида ртути (HgSe, HgTe), антимонида индия (InSb) и других полупроводниковых материалов в виде тонких пленок или пластинок. С их помощью возможно измерение магнитной индукции или напряженности магнитного поля, силы тока и мощности, а при подведении к контактам переменных напряжений - и преобразование сигналов. По ЭДС Холла можно определить знак носителей заряда, рассчитать их концентрацию и подвижность.

Эффект Ганна - относится к эффектам сильного поля и заключается в появлении высокочастотных колебаний электрического тока при воздействии на полупроводник электрического поля высокой напряженности. Впервые этот эффект наблюдался на арсениде галлия GaAs и фосфиде индия InP. На основе этого эффекта разработаны приборы, генерирующие в диапазоне частит до сотен гигагерц.

Фотоэлектрический эффект. При облучении полупроводников светом в них можно возбудить проводимость. Фототок с энергией hv = или > ширины запрещенной зоны ΔW0 переводит электроны из валентной зоны в зону проводимости. Образующаяся при этом пара электрон - дырка является свободной и участвует в создании проводимости. На рис.11 показана схема образования фотоносителей в собственном донорном и акцепторном полупроводниках.



рис. 11

Таким образом, если hv = > ΔW0 - для собственных полупроводников, hv = > ΔWп - для примесных полупроводников, то появляются добавочные носители тока и проводимость. повышается. Это добавочная проводимость называется фотопроводимостью. Основная проводимость, обусловленная тепловым возбуждением носителей тока называется тепловой проводимостью. Из приведенных формул можно определить минимальную частоту ν0 или максимальную длину волны λ0, при которой свет возбуждает фотопроводимость

λ0 = ch/ΔW0 и λ0 = ch/ΔWп.

Наиболее чувствительные фотосопротивления изготовляются из сернистого кадмия (CdS) и сернистого свинца (PbS). Используются и другие полупроводниковые материалы. Единственным материалом для интегральных датчиков является кремний.

Оптоэлектронные устройства: светодиоды, лазеры, фотодетекторы (датчики), солнечные батареи, фильтры.

ТермоЭДС в полупроводниках, как и в металлах возникает под действием разности температуры. Основой преобразователей тепловой энергии в электрическую являются термоэлементы, составленные из последовательно включенных полупроводников p- и n- типов. Большая термоЭДС полупроводников позволяет использовать их в качестве эффективных преобразователей тепловой энергии в электрическую.


8231531661986422.html
8231599754584832.html
    PR.RU™